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英特尔探讨PLC闪存未来:明年推144层QLC闪存

来源:电工吧整理 编辑:电工吧 时间:2019-09-28
摘要:NAND Flash闪存从SLC、MLC、TLC进化到3D TLC、3D QLC等新技术,伴随而来的就是SSD固态硬盘的价格大幅下探,成为大多数人都

英特尔探讨PLC闪存未来:明年推144层QLC闪存

  英特尔在介绍活动中透露,3D PLC闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构(Floating Gate),尽管当前3D闪存的主流结构是Charge Trap电荷捕获型。但英特尔认为浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀。

  英特尔还表示将在2019年推出96层QLC存储产品,明年首秀业内首款144层QLC固态硬盘,用于数据中心。

  【天极网手机频道】NAND Flash闪存从SLC、MLC、TLC进化到3D TLC、3D QLC等新技术,伴随而来的就是SSD固态硬盘的价格大幅下探,成为大多数人都能够使用的消费品。

  目前,,市面上采用QLC颗粒的SSD并不常见,但东芝在FMS上已经开始公开探讨PLC(5bit/cell)技术闪存的前景。但PLC的电压状态骤增到32种,为固态硬盘的主控提出更高的性能要求。

英特尔探讨PLC闪存未来:明年推144层QLC闪存

  路边社消息称,英特尔和美光之所以在固态硬盘上分手,原因是美光决定放弃浮栅转向电荷捕获,加入三星、东芝、SK海力士等大军。三星曾强调,电荷捕获相较浮栅技术,可以有效提升闪存的耐久度。

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